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NEC Electronics Group UPA2792GR-E1-AZ

Name: UPA2792GR-E1-AZ
Brand: NEC Electronics Group
SKU: 1712-UPA2792GR-E1-AZ
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

UPA2792GR-E1-AZ

品牌

NEC Electronics Group

utmel 编号

1712-UPA2792GR-E1-AZ

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 0.021ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, SOP-8

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UPA2792GR-E1-AZ NEC Electronics Group Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 0.021ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, SOP-8

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UPA2792GR-E1-AZ详情

技术参数

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NEC Electronics Group UPA2792GR-E1-AZ重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

YES
终端数量

8
晶体管元件材料

SILICON
Rohs Code

有
Part Life Cycle Code

Transferred
Ihs Manufacturer

NEC ELECTRONICS CORP
Part Package Code

SOT
Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Drain Current-Max (ID)

10 A
Number of Elements

2
Package Body Material

PLASTIC/EPOXY
Package Shape

RECTANGULAR
Package Style

小概要
JESD-609代码

e6
ECCN 代码

EAR99
端子表面处理

锡铋
端子位置

DUAL
终端形式

鸥翼
Reach合规守则

compliant
引脚数量

8
JESD-30代码

R-PDSO-G8
资历状况

不合格
配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式

增强型MOSFET
晶体管应用

SWITCHING
极性/通道类型

N-CHANNEL AND P-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻

0.021 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)

40 A
DS 击穿电压-最小值

30 V
雪崩能量等级（Eas）

10 mJ
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

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