New England Semiconductor 1N3012RA
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1N3012RA
2436-1N3012RA
二极管 - 齐纳 - 单
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大陆
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Zener Diode, 160V V(Z), 10%, 10W, Silicon, Unidirectional, DO-4, HERMETIC SEALED, DO-4, 1 PIN
1最小包装量--
1N3012RA详情
New England Semiconductor 1N3012RA重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
二极管元件材料
SILICON
终端数量
1
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
NEW ENGLAND SEMICONDUCTOR
Package Description
HERMETIC SEALED, DO-4, 1 PIN
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
175 °C
Operating Temperature-Min
-65 °C
Package Body Material
METAL
Package Shape
ROUND
Package Style
POST/STUD MOUNT
Power Dissipation (Max)
10 W
Reference Voltage-Nom
160 V
附加功能
HIGH RELIABILITY
端子位置
UPPER
终端形式
SOLDER LUG
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
O-MUPM-D1
资历状况
不合格
极性
UNIDIRECTIONAL
配置
SINGLE
二极管类型
泽纳电极
箱体转运
CATHODE
最大电压允差
10%
JEDEC-95代码
DO-4
工作测试电流
16 mA
反向电流-最大值
10 μA
动态阻抗-最大值
200 Ω
电压温度系数
152 mV/°C
膝阻抗-最大
1600 Ω
1N3012RA拓展信息
Taiwan Semiconductor
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