NEW JERSEY IRFF331R

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Drain Current-Max (ID)

3.5 A

Ihs Manufacturer

HARRIS SEMICONDUCTOR

Manufacturer

Harris Semiconductor

Manufacturer Part Number

IRFF331R

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Body Material

METAL

Package Description

CYLINDRICAL, O-MBCY-W3

Package Shape

ROUND

Package Style

CYLINDRICAL

Part Life Cycle Code

Obsolete

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Risk Rank

5.8

Rohs Code

无

Turn-off Time-Max (toff)

90 ns

Turn-on Time-Max (ton)

65 ns

JESD-609代码

e0

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

子类别

FET 通用电源

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-205AF

最大漏极电流 (Abs) (ID)

3.5 A

漏极-源极导通最大电阻

1 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

14 A

DS 击穿电压-最小值

350 V

雪崩能量等级（Eas）

300 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

25 W

环境耗散-最大值

25 W