EE2-3NU-L详情
NEXEM EE2-3NU-L重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-VDFN Exposed Pad
供应商器件包装
8-DFN3333 (3.3x3.3)
Package
Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
Base Product Number
PSMN0
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
21A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
厂商
NXP USA Inc.
Power Dissipation (Max)
41W (Tc)
Product Status
Obsolete
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
系列
-
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
13mOhm @ 5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.15V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
768 pF @ 15 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
12.2 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)
30 V
Vgs(最大值)
±20V
场效应管特性
-
EE2-3NU-L拓展信息
NEXEM
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