Nexperia BAS35T/R

表面安装

YES

二极管元件材料

SILICON

终端数量

3

RoHS

Compliant

Package Description

R-PDSO-G3

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BAS35T/R

Power Dissipation (Max)

0.25 W

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Nexperia

Number of Elements

2

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

NEXPERIA

Risk Rank

5.3

包装

Bulk

容差

0.1 %

JESD-609代码

e3

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

温度系数

0.2 ppm/°C

电阻

5.008 Ω

端子表面处理

Tin (Sn)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

组成

金属箔

HTS代码

8541.10.00.70

最大功率耗散

8 W

技术

AVALANCHE

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PDSO-G3

配置

COMMON ANODE, 2 ELEMENTS

二极管类型

接收电极

输出电流-最大值

0.25 A

Rep Pk反向电压-最大值

110 V

JEDEC-95代码

TO-236AB

反向恢复时间-最大值

0.05 µs

宽度

10.16 mm

高度

4.0132 mm

长度

15.621 mm