Nexperia BFS19T/R

安装类型

表面贴装

包装/外壳

200-WFBGA

表面安装

YES

供应商器件包装

200-WFBGA (10x14.5)

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package

Tape & Reel (TR)

厂商

Micron Technology Inc.

Product Status

活跃

Memory Types

Volatile

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Transition Frequency-Nom (fT)

260 MHz

Manufacturer Part Number

BFS19T/R

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Nexperia

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

NEXPERIA

Risk Rank

5.19

操作温度

-40°C ~ 105°C

系列

Automotive, AEC-Q100

JESD-609代码

e3

端子表面处理

Tin (Sn)

技术

SDRAM - Mobile LPDDR5

电压 - 供电

1.05V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PDSO-G3

配置

SINGLE

内存大小

32Gbit

时钟频率

3.2 GHz

内存格式

DRAM

内存接口

Parallel

写入周期时间 - 字符、页面

-

极性/通道类型

NPN

JEDEC-95代码

TO-236AB

集电极电流-最大值(IC)

0.03 A

最小直流增益（hFE）

65

集电极-发射器电压-最大值

20 V

组织的记忆

1G x 32