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Nexperia BLF6G10LS-135R
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BLF6G10LS-135R
1729-BLF6G10LS-135R
无类别的
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大陆
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RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
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BLF6G10LS-135R详情
Nexperia BLF6G10LS-135R重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
引脚数
3
RoHS
Compliant
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
元素配置
Single
漏源电压 (Vdss)
65 V
连续放电电流(ID)
32 A
栅极至源极电压(Vgs)
13 V
漏源击穿电压
65 V
漏源电阻
100 mΩ
BLF6G10LS-135R拓展信息
公司资质
哦! 它是空的。