BSH112/T3详情
Nexperia BSH112/T3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
MINIATURE, PLASTIC PACKAGE-3
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
BSH112/T3
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Nexperia
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
NEXPERIA
Risk Rank
5.14
Drain Current-Max (ID)
0.3 A
附加功能
逻辑电平兼容
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PDSO-G3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-236AB
漏极-源极导通最大电阻
5 Ω
DS 击穿电压-最小值
60 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
反馈上限-最大值 (Crss)
10 pF
BSH112/T3拓展信息








哦! 它是空的。