NEXPERIA BUK652R1-30C

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PSFM-T3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-220AB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

100A

漏极-源极导通最大电阻

0.0021Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

977A

DS 击穿电压-最小值

30V

雪崩能量等级（Eas）

1700 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR