Nexperia BZV55-B10

表面安装

YES

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

外壳材料

1

Type of module

IGBT

Semiconductor structure

transistor/transistor

Max. off-state voltage

1.7kV

Collector current

150A

Case

MiniSKiiP® 2

Electrical mounting

Press-Fit

Gate-emitter voltage

±20V

Pulsed collector current

450A

Mechanical mounting

screw

Gross weight

55 g

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

NEXPERIA

Date Of Intro

2017-02-17

Operating Temperature-Max

200 °C

Operating Temperature-Min

-65 °C

Package Body Material

GLASS

Package Shape

ROUND

Package Style

长式

Reference Voltage-Nom

10 V

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

TIN

HTS代码

8541.10.00.50

端子位置

END

终端形式

环绕

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

参考标准

IEC-60134

JESD-30代码

O-LELF-R2

极性

UNIDIRECTIONAL

配置

SINGLE

二极管类型

泽纳电极

箱体转运

ISOLATED

拓扑

IGBT half-bridge,

最大电压允差

2%

工作测试电流

5 mA

输出范围

0.4 W

第二个连接器加载的位置数

for UPS,

饱和电流

1