BZV55C10TR详情
Nexperia BZV55C10TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
Package
Bulk
Base Product Number
MDM-3
厂商
ITT Cannon, LLC
Product Status
活跃
Risk Rank
5.17
Ihs Manufacturer
CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
Part Life Cycle Code
活跃
Number of Elements
1
Manufacturer
Central Semiconductor Corp
Package Shape
ROUND
Power Dissipation (Max)
0.5 W
Manufacturer Part Number
BZV55C10TR
Rohs Code
无
Operating Temperature-Max
200 °C
Reference Voltage-Nom
10 V
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Package Body Material
GLASS
Package Style
长式
系列
83513-Style Micro D Metal Shell (MDM)
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
类型
D-Type, Micro-D
定位的数量
37
端子表面处理
锡铅
颜色
White, Individual
附加功能
GENERAL PURPOSE
HTS代码
8541.10.00.50
子类别
电压基准二极管
技术
ZENER
端子位置
END
终端形式
环绕
屏蔽/屏蔽
-
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
触点表面处理
Gold
JESD-30代码
O-LELF-R2
资历状况
不合格
极性
UNIDIRECTIONAL
配置
SINGLE
二极管类型
泽纳电极
箱体转运
ISOLATED
使用方法
-
最大电压允差
5%
第一个连接器
Receptacle, Female Sockets
第二个连接器
单根导线引线
工作测试电流
5 mA
动态阻抗-最大值
20 Ω
长度
0.833 (254.00mm, 10.00)
触点表面处理厚度
-
BZV55C10TR拓展信息
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia
Nexperia USA Inc.
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