PBSS5140T-QR详情
Nexperia PBSS5140T-QR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
SOT-23-3
安装类型
表面贴装
供应商器件包装
TO-236AB
RoHS
Details
Mounting Styles
SMD/SMT
Transistor Polarity
PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
40 V
Emitter- Base Voltage VEBO
5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
500 mV
Pd - Power Dissipation
450 mW
Gain Bandwidth Product fT
150 MHz
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
DC Collector/Base Gain hfe Min
300 at - 100 mA, - 5 V
DC Current Gain hFE Max
800 at - 100 mA, - 5 V
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
3000
Part # Aliases
934664705215
Package
Tape & Reel (TR)
Current-Collector (Ic) (Max)
1 A
Base Product Number
PBSS5140
厂商
Nexperia USA Inc.
Product Status
活跃
操作温度
150°C (TJ)
系列
-
配置
Single
功率 - 最大
300 mW
晶体管类型
PNP
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
300 @ 100mA, 5V
最大集极截止电流
100nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
500mV @ 100mA, 1A
电压 - 集射极击穿(最大值)
40 V
频率转换
150MHz
集电极基极电压(VCBO)
40 V
连续集电极电流
1 A
PBSS5140T-QR拓展信息
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
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Nexperia USA Inc.
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