Nexperia PDTC115EE,115

生命周期状态

EOL (Last Updated: 2 years ago)

底架

表面贴装

引脚数

3

质量

4.535924 g

Transistor Polarity

NPN

Collector-Emitter Saturation Voltage

150 mV

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50 V

hFEMin

80

Manufacturer Lifecycle Status

WITHDRAWN (Last Updated: 2 years ago)

RoHS

Compliant

包装

Tape & Reel (TR)

终端

SMD/SMT

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

最大功率耗散

150 mW

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

150

集电极发射器电压(VCEO)

50 V

最大集电极电流

20 mA

最大击穿电压

50 V

发射极基极电压 (VEBO)

10 V

连续集电极电流

20

宽度

900 µm

高度

850 µm

长度

1.8 mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

无铅

无铅