Nexperia PDTC124ET

表面安装

YES

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

外壳材料

1

Type of module

IGBT

Semiconductor structure

transistor/transistor

Max. off-state voltage

1.2kV

Collector current

600A

Case

SEMITRANS3

Electrical mounting

FASTON connectors,

Gate-emitter voltage

±20V

Pulsed collector current

1.8kA

Mechanical mounting

screw

Gross weight

325 g

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

NEXPERIA

Date Of Intro

1995-02-01

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

Transition Frequency-Nom (fT)

230 MHz

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

TIN

附加功能

BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

参考标准

AEC-Q101; IEC-60134

JESD-30代码

R-PDSO-G3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR

拓扑

IGBT half-bridge

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

JEDEC-95代码

TO-236AB

集电极电流-最大值(IC)

0.1 A

最小直流增益（hFE）

60

集电极-发射器电压-最大值

50 V

第二个连接器加载的位置数

for UPS,

饱和电流

1