PHT11N06LT详情
Nexperia PHT11N06LT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
4
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
NEXPERIA
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Date Of Intro
2017-02-01
Drain Current-Max (ID)
4.9 A
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
哑光锡
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PDSO-G4
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.04 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
19 A
DS 击穿电压-最小值
55 V
雪崩能量等级(Eas)
60 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
PHT11N06LT拓展信息
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
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