NEXPERIA PMDPB65UP

表面安装

YES

终端数量

6

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

S-PDSO-N6

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

P-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.0035A

漏极-源极导通最大电阻

0.09Ohm

DS 击穿电压-最小值

20V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR