Nexperia USA Inc. 2PD602ASL-QR

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件包装

TO-236AB

厂商

Nexperia USA Inc.

Package

Tape & Reel (TR)

Product Status

活跃

Current-Collector (Ic) (Max)

500 mA

Emitter- Base Voltage VEBO

5 V

Pd - Power Dissipation

250 mW

Transistor Polarity

NPN

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

170 at150 mA, 10 V

Collector-Emitter Saturation Voltage

600 mV

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

3000

Mounting Styles

SMD/SMT

Gain Bandwidth Product fT

180 MHz

Part # Aliases

934664805215

Manufacturer

Nexperia

Brand

Nexperia

DC Current Gain hFE Max

340 at150 mA, 10 V

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

50 V

系列

Automotive, AEC-Q101

操作温度

150°C (TJ)

子类别

Transistors

技术

Si

配置

Single

功率 - 最大

250 mW

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

170 @ 150mA, 10V

最大集极截止电流

10nA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

600V @ 30mA, 300mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

50 V

频率转换

180MHz

集电极基极电压(VCBO)

60 V

连续集电极电流

500 mA

产品类别

Bipolar Transistors - BJT