Nexperia USA Inc. BC856AQCZ
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BC856AQCZ
1729-BC856AQCZ
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
3-XDFN Exposed Pad
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TRANS PNP 65V 0.1A DFN1412D-3
1最小包装量--
BC856AQCZ详情
Nexperia USA Inc. BC856AQCZ重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
Surface Mount, Wettable Flank
包装/外壳
3-XDFN Exposed Pad
供应商器件包装
DFN1412D-3
厂商
Nexperia USA Inc.
Product Status
活跃
Current-Collector (Ic) (Max)
100 mA
Package Type
SOT8009
Maximum Collector Emitter Voltage
65 V
Maximum DC Collector Current
100 mA
Minimum DC Current Gain
125
MSL
-
Qualification
-
Transistor Polarity
PNP
系列
BC856xQC
操作温度
150°C (TJ)
功率耗散
450mW
功率 - 最大
360 mW
晶体管类型
PNP
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
125 @ 2mA, 5V
最大集极截止电流
15nA (ICBO)
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
650mV @ 5mA, 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
65 V
转换频率
100MHz
频率转换
100MHz
连续集电极电流
100mA
BC856AQCZ拓展信息
Nexperia USA Inc.
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