Nexperia USA Inc. BC856BQCZ

安装类型

Surface Mount, Wettable Flank

包装/外壳

3-XDFN Exposed Pad

供应商器件包装

DFN1412D-3

厂商

Nexperia USA Inc.

Product Status

活跃

Current-Collector (Ic) (Max)

100 mA

Package Type

SOT8009

Maximum Collector Emitter Voltage

65 V

Maximum DC Collector Current

100 mA

Minimum DC Current Gain

220

MSL

-

Qualification

-

Transistor Polarity

PNP

Emitter- Base Voltage VEBO

6 V

Pd - Power Dissipation

450 mW

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

220

Collector-Emitter Saturation Voltage

650 mV

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Mounting Styles

SMD/SMT

Gain Bandwidth Product fT

100 MHz

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

65 V

系列

BC856xQC

操作温度

150°C (TJ)

技术

Si

配置

Single

功率耗散

450mW

功率 - 最大

360 mW

晶体管类型

PNP

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

220 @ 2mA, 5V

最大集极截止电流

15nA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

650mV @ 5mA, 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

65 V

转换频率

100MHz

频率转换

100MHz

集电极基极电压(VCBO)

80 V

连续集电极电流

100mA