Nexperia USA Inc. BC857BQCZ
- 收藏
- 对比
BC857BQCZ
1729-BC857BQCZ
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
3-XDFN Exposed Pad
大陆
立即发货

TRANS PNP 45V 0.1A DFN1412D-3
1最小包装量--
BC857BQCZ详情
Nexperia USA Inc. BC857BQCZ重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
Surface Mount, Wettable Flank
包装/外壳
3-XDFN Exposed Pad
供应商器件包装
DFN1412D-3
厂商
Nexperia USA Inc.
Product Status
活跃
Current-Collector (Ic) (Max)
100 mA
MSL
-
Minimum DC Current Gain
220
Maximum DC Collector Current
100 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
45 V
Package Type
SOT8009
Qualification
-
Transistor Polarity
PNP
Collector-Emitter Saturation Voltage
650 mV
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
5000
Part # Aliases
934660888147
Manufacturer
Nexperia
Brand
Nexperia
RoHS
Details
系列
BC857xQC
操作温度
150°C (TJ)
包装
MouseReel
子类别
Transistors
功率耗散
450mW
功率 - 最大
360 mW
产品类别
BJTs - Bipolar Transistors
晶体管类型
PNP
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
220 @ 2mA, 5V
最大集极截止电流
15nA (ICBO)
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
850mV @ 5mA, 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
45 V
转换频率
100MHz
频率转换
100MHz
连续集电极电流
100mA
产品类别
Bipolar Transistors - BJT
BC857BQCZ拓展信息
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.







哦! 它是空的。