Nexperia USA Inc. BC857CQB-QZ
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BC857CQB-QZ
1729-BC857CQB-QZ
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
3-XDFN Exposed Pad
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SMALL SIGNAL BIPOLAR IN DFN PACK
1最小包装量--
BC857CQB-QZ详情
Nexperia USA Inc. BC857CQB-QZ重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
Surface Mount, Wettable Flank
包装/外壳
3-XDFN Exposed Pad
供应商器件包装
DFN1110D-3
厂商
Nexperia USA Inc.
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
活跃
Current-Collector (Ic) (Max)
100 mA
Transistor Polarity
PNP
Emitter- Base Voltage VEBO
5 V
Pd - Power Dissipation
420 mW
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
DC Collector/Base Gain hfe Min
420 at 2 mA, 5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
650 mV
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Styles
SMD/SMT
Gain Bandwidth Product fT
100 MHz
Maximum DC Collector Current
200 mA
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
45 V
系列
Automotive, AEC-Q101
操作温度
150°C (TJ)
技术
Si
配置
Single
功率耗散
420
功率 - 最大
340 mW
晶体管类型
PNP
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
420 @ 2mA, 5V
最大集极截止电流
15nA (ICBO)
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
650mV @ 5mA, 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
45 V
转换频率
100
频率转换
100MHz
集电极基极电压(VCBO)
50 V
连续集电极电流
100
BC857CQB-QZ拓展信息
Nexperia USA Inc.
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