Nexperia USA Inc. BCP68-QF

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

供应商器件包装

SOT-223

厂商

Nexperia USA Inc.

Package

Tape & Reel (TR)

Product Status

活跃

Current-Collector (Ic) (Max)

2 A

Emitter- Base Voltage VEBO

5 V

Pd - Power Dissipation

1.35 W

Transistor Polarity

NPN

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

375 at 500 mA, 1 V

Collector-Emitter Saturation Voltage

600 mV

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

4000

Mounting Styles

SMD/SMT

Gain Bandwidth Product fT

170 MHz

Part # Aliases

934664782135

Manufacturer

Nexperia

Brand

Nexperia

DC Current Gain hFE Max

85 at 500 mA, 1 V

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

20 V

系列

Automotive, AEC-Q101

操作温度

150°C (TJ)

子类别

Transistors

技术

Si

配置

Single

功率 - 最大

650 mW

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

85 @ 500mA, 1V

最大集极截止电流

100nA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

600mV @ 200mA, 2A

电压 - 集射极击穿（最大值）

20 V

频率转换

170MHz

集电极基极电压(VCBO)

32 V

连续集电极电流

2 A

产品类别

Bipolar Transistors - BJT