Nexperia USA Inc. PBSS5580PA,115

工厂交货时间

8 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

3-PowerUDFN

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

80V

Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)

110MHz

Power Dissipation (Max)

2.1W

Number of Elements

1

hFEMin

70

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2010

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

DUAL

频率

110MHz

基本部件号

PBSS5580

元素配置

Single

功率耗散

2.1W

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

80V

最大集电极电流

4A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

140 @ 2A 2V

最大集极截止电流

100nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

420mV @ 200mA, 4A

转换频率

110MHz

最大击穿电压

80V

集电极基极电压(VCBO)

80V

发射极基极电压 (VEBO)

-7V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant