Nexperia USA Inc. PBSS5612PA,115

工厂交货时间

8 Weeks

包装/外壳

3-PowerUDFN

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

hFEMin

130

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.1W

Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)

60MHz

Collector-Emitter Breakdown Voltage

12V

已出版

2010

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

150°C TJ

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

DUAL

频率

60MHz

基本部件号

PBSS5612

元素配置

Single

功率耗散

2.1W

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

12V

最大集电极电流

6A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

190 @ 2A 2V

最大集极截止电流

100nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 300mA, 6A

转换频率

60MHz

最大击穿电压

12V

集电极基极电压(VCBO)

12V

发射极基极电压 (VEBO)

-7V

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无