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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.434496
500
¥0.319483
1000
¥0.266235
2000
¥0.244256
5000
¥0.228277
10000
¥0.212346
15000
¥0.205365
50000
¥0.201933
Nexperia USA Inc. PMEG2010BEV,115
- 收藏
- 对比
PMEG2010BEV,115
1729-PMEG2010BEV,115
二极管 - 整流器 - 单
SOT-563, SOT-666
大陆
立即发货

DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOT666
--最小包装量--
¥
总价: ¥
PMEG2010BEV,115详情
Nexperia USA Inc. PMEG2010BEV,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
4 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-563, SOT-666
引脚数
6
二极管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2009
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-65°C
HTS代码
8541.10.00.50
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
PMEG2010
引脚数量
6
元素配置
Single
速度
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
二极管类型
Schottky
反向泄漏电流@ Vr
200μA @ 20V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
500mV @ 1A
正向电流
1A
最大反向漏电电流
200μA
工作温度 - 结点
150°C Max
最大浪涌电流
10A
输出电流-最大值
1A
平均整流电流(Io)
1A DC
正向电压
500mV
最大反向电压(DC)
20V
平均整流电流
1A
峰值反向电流
200μA
最大重复反向电压(Vrrm)
20V
电容@Vr, F
80pF @ 1V 1MHz
峰值非恢复性浪涌电流
10A
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
PMEG2010BEV,115拓展信息
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
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Nexperia USA Inc.
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