NIC Components NIN-HJ4N7DMTR850F
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NIN-HJ4N7DMTR850F
1736-NIN-HJ4N7DMTR850F
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Inductor RF Chip Wirewound 0.0047uH 0.5nH 100MHz 35Q-Factor 0.85A 0.059Ohm DCR 0603 T/R
1最小包装量--
NIN-HJ4N7DMTR850F详情
NIC Components NIN-HJ4N7DMTR850F重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
终端数量
2
Case Size
0603
Product Depth (mm)
1.12(mm)
DC Resistance
0.059(ohm)
Operating Temp Range
-40C to 125C
Product Diameter (mm)
Not Required(mm)
Tolerance (+ or -)
0.5nH
Q
35
Rad Hardened
无
包装
卷带
类型
射频芯片
技术
Wirewound
军用标准
不需要
失败率
不需要
电感,电感
0.0047(uH)
测试频率
100(MHz)
直流电
850(mA)
自谐振频率
6000(MHz)
产品长度(mm)
1.8(mm)
产品高度(mm)
1.02(mm)
NIN-HJ4N7DMTR850F拓展信息







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