North American Philips Discrete Products Div BLF246
- 收藏
- 对比
BLF246
1891-BLF246
晶体管 - 特殊用途
--
大陆
立即发货

Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
1最小包装量--
BLF246详情
North American Philips Discrete Products Div BLF246重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
外壳材料
1
Rise/Fall Time
5 ns
Gross Weight
5.00
Transport Package Size/Quantity
63*35*17/120
Package
DIL14
Current Consumption
20 mA
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
NORTH AMERICAN PHILIPS DISCRETE PRODUCTS DIV
Package Description
,
Drain Current-Max (ID)
13 A
Operating Temperature-Max
200 °C
系列
DXM1200
包装
Box
零件状态
活跃
ECCN 代码
EAR99
类型
无线控制器
电源电压
3.3 V
深度
20.4 mm
Reach合规守则
unknown
频率
8000 MHz
频率稳定性
+/- 25 ppm
配置
SINGLE
操作模式
增强型MOSFET
极性/通道类型
N-CHANNEL
工作温度范围
-40...+85 °C
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
130 W
高度
5.4 mm
宽度
12.8 mm
BLF246拓展信息
North American Philips Discrete Products Div
Philips Semiconductors
Philips Semiconductors
Philips Semiconductors
Philips Semiconductors
Philips Semiconductors
Philips Semiconductors
Philips Semiconductors
Philips Semiconductors
Philips Semiconductors







哦! 它是空的。