NTE ELECT 1N5227B

包装/外壳

SOIC-8

安装类型

通孔

引脚数

2

供应商器件包装

-

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

100 V

Typical Turn-On Delay Time

14 ns

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

2 V

Pd - Power Dissipation

2.5 W

Transistor Polarity

N-Channel

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Vgs - Gate-Source Voltage

- 20 V, + 20 V

Unit Weight

0.004586 oz

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

2500

Mounting Styles

SMD/SMT

Channel Mode

Enhancement

Part # Aliases

FDS3672_NL

Manufacturer

onsemi

Brand

onsemi / Fairchild

Qg - Gate Charge

37 nC

Tradename

UltraFET

Rds On - Drain-Source Resistance

23 mOhms

RoHS

Details

Typical Turn-Off Delay Time

37 ns

Id - Continuous Drain Current

7.5 A

Package

Bag

Impedance (Max) (Zzt)

24 Ohms

厂商

NTE Electronics, Inc

Product Status

活跃

Breakdown Voltage / V

3.6 V

Voltage Rating (DC)

3.6 V

系列

FDS3672

包装

MouseReel

操作温度

-65°C ~ 200°C

容差

±5%

子类别

MOSFETs

额定功率

500 mW

技术

Si

配置

Single

通道数量

1 Channel

反向泄漏电流@ Vr

15 µA @ 1 V

功率耗散

500 mW

功率 - 最大

500 mW

上升时间

20 ns

电压 - 齐纳（标准值）（Vz）

3.6 V

产品类别

MOSFET

晶体管类型

1 N-Channel

产品类别

MOSFET

宽度

3.9 mm

高度

1.75 mm

长度

4.9 mm

达到SVHC

无SVHC

无铅

无铅