NTE ELECT SI470M250

安装类型

表面贴装

包装/外壳

3-SMD, No Lead

供应商器件包装

U3 (SMD-0.5)

包装数量

1

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

12.4A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

12V

厂商

微芯片技术

Power Dissipation (Max)

75W (Tc)

Product Status

活跃

RoHS

无

Manufacturer

NTE Electronics

Manufacturer Part Number

SI470M250

Package Type

Radial Round

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

组成

Electrolytic

电容量

470 MicroFarads

技术

MOSFET (Metal Oxide)

引线长度

0.248

引线间距

0.393

铅直径

0.079

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

210mOhm @ 7.5A, 12V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1980 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

50 nC @ 12 V

漏源电压 (Vdss)

250 V

Vgs（最大值）

±20V

场效应管特性

-

直径

0.87