NTE ELECT SI5600M50

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-204AE

供应商器件包装

TO-204AE

包装数量

1

Power Dissipation (Max)

300W (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

67A (Tc)

RoHS

无

Manufacturer

NTE Electronics

Manufacturer Part Number

SI5600M50

Package Type

Radial Round

系列

GigaMOS™

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

零件状态

最后一次购买

组成

Electrolytic

电容量

5,600 MicroFarads

技术

MOSFET (Metal Oxide)

引线长度

0.248

引线间距

0.393

铅直径

0.079

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

25 mOhm @ 33.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 4mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4500pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

260nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

100V

Vgs（最大值）

±20V

场效应管特性

--

直径

0.98