NTE Electronics NTE312

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-92

材料

Si

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

ECCN (US)

EAR99

Maximum Gate Source Voltage (V)

-30

Maximum Power Dissipation (mW)

500

Typical Power Gain (dB)

18(Min)

Minimum Operating Temperature (°C)

-65

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Automotive

无

Standard Package Name

TO-92

Supplier Package

TO-92

Mounting

通孔

Package Height

5.33(Max)

Package Length

5.2(Max)

Package Width

4.2(Max)

PCB changed

3

Lead Shape

通孔

Manufacturer Part Number

NTE312

Manufacturer

NTE Electronics

Package

Bag

厂商

NTE Electronics, Inc

Product Status

活跃

Package Description

CYLINDRICAL, O-PBCY-W3

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

NTE ELECTRONICS INC

Risk Rank

1.55

操作温度

-

系列

-

零件状态

活跃

类型

JFET

HTS代码

8541.21.00.95

子类别

其他晶体管

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

O-PBCY-W3

资历状况

不合格

配置

Single

操作模式

DEPLETION MODE

功率 - 最大

360 mW

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

AMPLIFIER

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4.5pF @ 15V

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-92

信道型

N

场效应管技术

JUNCTION

最大耗散功率(Abs)

0.36 W

反馈上限-最大值 (Crss)

1 pF

最高频段

甚高频段

漏极电流（Idss） @ Vds (Vgs=0)

5 mA @ 15 V

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)

1 V @ 10 mA

电压 - 击穿 （V（BR）GSS）

30 V

功率增益-最小值(Gp)

10 dB

RoHS状态

RoHS non-compliant