NTE Electronics, Inc. MMBT5551
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MMBT5551
1780-MMBT5551
无类别的
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Small Signal Bipolar Transistor,
1最小包装量--
MMBT5551详情
NTE Electronics, Inc. MMBT5551重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
供应商器件包装
SOT-23-3
Manufacturer Part Number
MMBT5551
Manufacturer
NTE Electronics
Package
Bag
Current-Collector (Ic) (Max)
600 mA
厂商
NTE Electronics, Inc
Product Status
活跃
Collector-Emitter Breakdown Voltage
160 V
Voltage Rating (DC)
160 V
RoHS
Non-Compliant
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
系列
-
额定电流
600 mA
极性
NPN
功率耗散
350 mW
功率 - 最大
350 mW
晶体管类型
NPN
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
最大集极截止电流
50nA (ICBO)
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
200mV @ 5mA, 50mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
160 V
频率转换
100MHz
达到SVHC
无SVHC
无铅
无铅
MMBT5551拓展信息







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