NTE Electronics, Inc. NTE112

安装类型

通孔

包装/外壳

DO-204AH, DO-35, Axial

表面安装

NO

供应商器件包装

DO-35

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Manufacturer Part Number

NTE112

Manufacturer

NTE Electronics

Package

Bag

厂商

NTE Electronics, Inc

Product Status

活跃

Package Description

O-PALF-W2

Package Style

长式

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

NTE ELECTRONICS INC

Forward Voltage-Max (VF)

0.5 V

Risk Rank

5.73

系列

-

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.10.00.60

子类别

微波混频器二极管

技术

SCHOTTKY

端子位置

AXIAL

终端形式

WIRE

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

O-PALF-W2

资历状况

不合格

配置

SINGLE

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

二极管类型

Schottky

反向泄漏电流@ Vr

50 nA @ 1 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

550 mV @ 10 mA

箱体转运

ISOLATED

工作温度 - 结点

125°C

输出电流-最大值

25 A

电压 - 直流逆向（Vr）（最大值）

5 V

平均整流电流（Io）

30mA

JEDEC-95代码

DO-35

电容@Vr, F

1pF @ 0V, 1MHz

击穿电压-最小值

5 V

频带

超高频

二极管电容-最大值

1 pF