NTE Electronics, Inc. NTE133

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-106-3 Domed

表面安装

NO

引脚数

3

供应商器件包装

TO-106

质量

4.535924 g

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

NTE133

Manufacturer

NTE Electronics

Breakdown Voltage / V

-25 V

RoHS

Compliant

Package

Bag

厂商

NTE Electronics, Inc

Product Status

活跃

Package Description

TO-106, 3 PIN

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

NTE ELECTRONICS INC

Risk Rank

1.57

Part Package Code

BCY

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

HTS代码

8541.21.00.95

子类别

其他晶体管

最大功率耗散

300 mW

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

O-PBCY-W3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

元素配置

Single

操作模式

DEPLETION MODE

功率耗散

300 mW

功率 - 最大

300 mW

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

AMPLIFIER

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

-

漏源电压 (Vdss)

25 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

500 µA

JEDEC-95代码

TO-106

栅极至源极电压(Vgs)

-25 V

漏源击穿电压

-6.5 V

DS 击穿电压-最小值

25 V

场效应管技术

JUNCTION

最大耗散功率(Abs)

0.3 W

反馈上限-最大值 (Crss)

2 pF

漏极电流（Idss） @ Vds (Vgs=0)

500 µA @ 15 V

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)

6.5 V @ 1 nA

电压 - 击穿 （V（BR）GSS）

25 V

宽度

5.2832 mm

高度

4.572 mm

长度

88.9 mm

达到SVHC

Unknown