NTE Electronics, Inc. NTE2114
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NTE2114
1780-NTE2114
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Standard SRAM, 1KX4, 300ns, NMOS, PDIP18, DIP-18
--最小包装量--
NTE2114详情
NTE Electronics, Inc. NTE2114重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
18
Manufacturer Part Number
NTE2114
Manufacturer
NTE Electronics
Clock Freq
Not Required(MHz)
Operating Temperature Classification
Commercial
Package Type
PDIP
Operating Temp Range
0C to 70C
Number of Words
1K
Address Bus
10(b)
Number of I/O Lines
4
Operating Supply Voltage (Max)
5.5(V)
Operating Supply Voltage (Typ)
5(V)
Rad Hardened
无
Operating Supply Voltage (Min)
4.5(V)
Mounting
通孔
Package Description
DIP, DIP18,.3
Package Style
IN-LINE
Number of Words Code
1000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
DIP18,.3
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
300 ns
Operating Temperature-Max
70 °C
Rohs Code
有
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
Package Code
DIP
Package Shape
RECTANGULAR
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
NTE ELECTRONICS INC
Risk Rank
2.34
Part Package Code
DIP
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
HTS代码
8542.32.00.41
子类别
SRAMs
技术
NMOS
端子位置
DUAL
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
2.54 mm
Reach合规守则
unknown
引脚数量
18
JESD-30代码
R-PDIP-T18
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
5.25 V
电源
5 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
4.75 V
端口的数量
1
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.1 mA
访问时间
300
建筑学
不需要
组织结构
1KX4
输出特性
3-STATE
内存宽度
4
密度
4096(Bit)
待机电流-最大值
0.1 A
记忆密度
4096 bit
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
同步/异步
Asynchronous
字长
4(b)
内存IC类型
标准SRAM
待机电压-最小值
5 V
供应电流
100
NTE2114拓展信息







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