NTE2114
NTE2114

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

NTE Electronics, Inc. NTE2114

  • 收藏
  • 对比

型号

NTE2114

utmel 编号

1780-NTE2114

商品类别

存储器

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Standard SRAM, 1KX4, 300ns, NMOS, PDIP18, DIP-18

起订量

--最小包装量--

添加到询价列表
NTE2114
NTE2114 NTE Electronics, Inc. Standard SRAM, 1KX4, 300ns, NMOS, PDIP18, DIP-18

请发送询价,我们将立即回复。

库存:573

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

NTE2114详情

NTE Electronics, Inc. NTE2114重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    18

  • Manufacturer Part Number

    NTE2114

  • Manufacturer

    NTE Electronics

  • Clock Freq

    Not Required(MHz)

  • Operating Temperature Classification

    Commercial

  • Package Type

    PDIP

  • Operating Temp Range

    0C to 70C

  • Number of Words

    1K

  • Address Bus

    10(b)

  • Number of I/O Lines

    4

  • Operating Supply Voltage (Max)

    5.5(V)

  • Operating Supply Voltage (Typ)

    5(V)

  • Rad Hardened

  • Operating Supply Voltage (Min)

    4.5(V)

  • Mounting

    通孔

  • Package Description

    DIP, DIP18,.3

  • Package Style

    IN-LINE

  • Number of Words Code

    1000

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Equivalence Code

    DIP18,.3

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Access Time-Max

    300 ns

  • Operating Temperature-Max

    70 °C

  • Rohs Code

  • Supply Voltage-Nom (Vsup)

    5 V

  • Package Code

    DIP

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    NTE ELECTRONICS INC

  • Risk Rank

    2.34

  • Part Package Code

    DIP

  • JESD-609代码

    e0

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin/Lead (Sn/Pb)

  • HTS代码

    8542.32.00.41

  • 子类别

    SRAMs

  • 技术

    NMOS

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    THROUGH-HOLE

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • 功能数量

    1

  • 端子间距

    2.54 mm

  • Reach合规守则

    unknown

  • 引脚数量

    18

  • JESD-30代码

    R-PDIP-T18

  • 资历状况

    不合格

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    5.25 V

  • 电源

    5 V

  • 温度等级

    COMMERCIAL

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    4.75 V

  • 端口的数量

    1

  • 操作模式

    ASYNCHRONOUS

  • 电源电流-最大值

    0.1 mA

  • 访问时间

    300

  • 建筑学

    不需要

  • 组织结构

    1KX4

  • 输出特性

    3-STATE

  • 内存宽度

    4

  • 密度

    4096(Bit)

  • 待机电流-最大值

    0.1 A

  • 记忆密度

    4096 bit

  • 并行/串行

    PARALLEL

  • I/O类型

    COMMON

  • 同步/异步

    Asynchronous

  • 字长

    4(b)

  • 内存IC类型

    标准SRAM

  • 待机电压-最小值

    5 V

  • 供应电流

    100

0个相似型号

NTE2114拓展信息

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z