NTE Electronics, Inc. NTE2312

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

表面安装

NO

引脚数

3

供应商器件包装

TO-220

质量

7.257478 g

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Emitter-Base Voltage

9(V)

Operating Temperature Classification

Military

Package Type

TO-220

Transistor Polarity

NPN

Category

双极电源

Operating Temp Range

-65C to 150C

Collector Current (DC)

8(A)

Number of Elements

1

Rad Hardened

无

DC Current Gain

8@2A@5V/5@5A@5V

Mounting

通孔

Manufacturer Part Number

NTE2312

Manufacturer

NTE Electronics

Collector-Emitter Saturation Voltage

3 V

Collector-Emitter Breakdown Voltage

400 V

RoHS

Compliant

Package

Bag

Current-Collector (Ic) (Max)

8 A

厂商

NTE Electronics, Inc

Product Status

活跃

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Transition Frequency-Nom (fT)

4 MHz

Package Shape

RECTANGULAR

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

NTE ELECTRONICS INC

Risk Rank

1.75

Part Package Code

SFM

操作温度

-65°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

HTS代码

8541.29.00.95

子类别

其他晶体管

最大功率耗散

80 W

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

频率

4(MHz)

引脚数量

3 +Tab

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

极性

NPN

配置

Single

功率耗散

2(W)

箱体转运

COLLECTOR

输出功率

Not Required(W)

功率 - 最大

2 W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

400 V

最大集电极电流

8 A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

8 @ 2A, 5V

最大集极截止电流

1mA

JEDEC-95代码

TO-220AB

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

3V @ 2A, 8A

电压 - 集射极击穿（最大值）

400 V

转换频率

4 MHz

频率转换

4MHz

最大耗散功率(Abs)

80 W

发射极基极电压 (VEBO)

9 V

集电极电流-最大值(IC)

8 A

最小直流增益（hFE）

5

集电极-发射器电压-最大值

400 V

环境耗散-最大值

80 W

宽度

76.2 mm

高度

15.494 mm

长度

10.668 mm

达到SVHC

无SVHC