NTE Electronics, Inc NTE2323
- 收藏
- 对比
NTE2323
1780-NTE2323
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
14-DIP (0.300", 7.62mm)
大陆
立即发货

TRANS NPN 200V 0.5A 14DIP
1最小包装量--
NTE2323详情
NTE Electronics, Inc NTE2323重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
14-DIP (0.300", 7.62mm)
表面安装
NO
供应商器件包装
14-DIP
终端数量
14
晶体管元件材料
SILICON
厂商
NTE Electronics, Inc
Package
Bag
Product Status
活跃
Current-Collector (Ic) (Max)
500 mA
Manufacturer Part Number
NTE2323
Manufacturer
NTE Electronics
Package Style
IN-LINE
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Transition Frequency-Nom (fT)
80 MHz
Package Shape
RECTANGULAR
Number of Elements
4
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
NTE ELECTRONICS INC
Risk Rank
2.13
系列
-
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8541.29.00.75
端子位置
DUAL
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PDIP-T14
资历状况
不合格
配置
SEPARATE, 4 ELEMENTS
功率 - 最大
750 mW
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
40 @ 30mA, 10V
最大集极截止电流
100nA (ICBO)
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
500mV @ 2mA, 20mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
200 V
频率转换
80MHz
集电极电流-最大值(IC)
0.5 A
最小直流增益(hFE)
40
集电极-发射器电压-最大值
200 V
NTE2323拓展信息







哦! 它是空的。