NTE Electronics, Inc. NTE2383

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-220

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

NTE2383

Manufacturer

NTE Electronics

Continuous Drain Current

10.5(A)

Drain-Source On-Volt

100(V)

Operating Temperature Classification

Military

Package Type

TO-220

Operating Temp Range

-55C to 150C

Gate-Source Voltage (Max)

±20(V)

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements

1

Rad Hardened

无

Mounting

通孔

Package

Bag

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

10.5A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

NTE Electronics, Inc

Power Dissipation (Max)

75W (Tc)

Product Status

活跃

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Turn-on Time-Max (ton)

230 ns

Package Shape

RECTANGULAR

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

NTE ELECTRONICS INC

Turn-off Time-Max (toff)

350 ns

Risk Rank

1.57

Part Package Code

TO-220AB

Drain Current-Max (ID)

10.5 A

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

ECCN 代码

EAR99

类型

功率MOSFET

附加功能

HIGH RELIABILITY

子类别

其他晶体管

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3 +Tab

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

极性

P

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

75(W)

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

300mOhm @ 5.3A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

835 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

58 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

100 V

Vgs（最大值）

±20V

极性/通道类型

P-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-220AB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

8 A

漏极-源极导通最大电阻

0.3 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

42 A

DS 击穿电压-最小值

100 V

雪崩能量等级（Eas）

510 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

75 W

场效应管特性

-

环境耗散-最大值

75 W