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'nte2383'
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对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 终端数量 | 晶体管元件材料 | 厂商 | Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id | 操作温度 | 系列 | ECCN 代码 | 类型 | 附加功能 | 子类别 | 技术 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度（摄氏度） | JESD-30代码 | 资历状况 | 极性 | 配置 | 操作模式 | 功率耗散 | 箱体转运 | 场效应管类型 | 晶体管应用 | Rds On(Max)@Id,Vgs | 输入电容(Ciss)(Max)@Vds | 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 漏源电压 (Vdss) | Vgs（最大值） | 极性/通道类型 | JEDEC-95代码 | 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 漏极-源极导通最大电阻 | 脉冲漏极电流-最大值(IDM) | DS 击穿电压-最小值 | 雪崩能量等级（Eas） | 场效应管技术 | 最大耗散功率(Abs) | 场效应管特性 | 环境耗散-最大值 | 达到SVHC | ||||||||||||||||||||||||||||||
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 | NTE2383 | NTE Electronics, Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 通孔 | TO-220-3 | NO | 3 +Tab | TO-220 | 3 | SILICON | NTE2383 | NTE Electronics | 10.5(A) | 100(V) | Military | TO-220 | -55C to 150C | ±20(V) | Enhancement | 1 | NTE Electronics, Inc | 无 | 通孔 | Bag | 10.5A (Tc) | 10V | 75W (Tc) | 活跃 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | FLANGE MOUNT | PLASTIC/EPOXY | 未说明 | 有 | 230 ns | RECTANGULAR | 活跃 | NTE ELECTRONICS INC | 350 ns | 1.57 | TO-220AB | 10.5 A | 4V @ 250µA | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | EAR99 | 功率MOSFET | HIGH RELIABILITY | 其他晶体管 | MOSFET (Metal Oxide) | SINGLE | THROUGH-HOLE | 未说明 | R-PSFM-T3 | 不合格 | P | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | 75(W) | DRAIN | P-Channel | SWITCHING | 300mOhm @ 5.3A, 10V | 835 pF @ 25 V | 58 nC @ 10 V | 100 V | ±20V | P-CHANNEL | TO-220AB | 8 A | 0.3 Ω | 42 A | 100 V | 510 mJ | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 75 W | - | 75 W | unknown |
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