我的订单
会员中心 
在线咨询
0755-83328606
对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 供应商器件包装 | 终端数量 | 晶体管元件材料 | 厂商 | Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id | 操作温度 | 系列 | ECCN 代码 | 技术 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度（摄氏度） | JESD-30代码 | 资历状况 | 配置 | 操作模式 | 箱体转运 | 场效应管类型 | 晶体管应用 | Rds On(Max)@Id,Vgs | 输入电容(Ciss)(Max)@Vds | 漏源电压 (Vdss) | Vgs（最大值） | 极性/通道类型 | 漏极-源极导通最大电阻 | 脉冲漏极电流-最大值(IDM) | DS 击穿电压-最小值 | 场效应管技术 | 场效应管特性 | 达到SVHC | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | NTE2389 | NTE Electronics, Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 通孔 | TO-220-3 | NO | TO-220 | 3 | SILICON | NTE2389 | NTE Electronics | Bag | 35A (Ta) | 10V | 125W (Ta) | NTE Electronics, Inc | 活跃 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | FLANGE MOUNT | PLASTIC/EPOXY | 未说明 | 有 | RECTANGULAR | 1 | 活跃 | NTE ELECTRONICS INC | 2.11 | 35 A | 4V @ 1mA | 175°C (TJ) | - | EAR99 | MOSFET (Metal Oxide) | SINGLE | THROUGH-HOLE | 未说明 | R-PSFM-T3 | 不合格 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | DRAIN | N-Channel | SWITCHING | 45mOhm @ 20A, 10V | 2000 pF @ 25 V | 60 V | 30V | N-CHANNEL | 0.045 Ω | 152 A | 60 V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | unknown |
购物车
询价列表
对比列表
微信咨询
QQ咨询
公众号
建议反馈
购物车 (0件产品)
哦! 它是空的。