NTE Electronics, Inc. NTE266

表面安装

NO

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-202 Long Tab

引脚数

3

供应商器件包装

TO-202

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

NTE266

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

NTE ELECTRONICS INC

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Risk Rank

1.76

Number of Elements

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

FLANGE MOUNT

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Transition Frequency-Nom (fT)

75 MHz

RoHS

Compliant

Package

Bag

Current-Collector (Ic) (Max)

500 mA

厂商

NTE Electronics, Inc

Product Status

活跃

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

ECCN 代码

EAR99

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

DARLINGTON

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

1.33 W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

50 V

最大集电极电流

1 A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40000 @ 200mA, 5V

最大集极截止电流

500nA

JEDEC-95代码

TO-202

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.5V @ 500µA, 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

50 V

频率转换

75MHz

集电极基极电压(VCBO)

50 V

最大耗散功率(Abs)

6.2 W

发射极基极电压 (VEBO)

13 V

集电极电流-最大值(IC)

0.5 A

最小直流增益（hFE）

40000

集电极-发射器电压-最大值

50 V

环境耗散-最大值

6.25 W