NTE Electronics, Inc NTE313

安装类型

表面贴装

包装/外壳

3-SMD, Flat Lead

底架

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

3

供应商器件包装

3-SMD

质量

7.257478 g

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

厂商

NTE Electronics, Inc

Package

Bag

Product Status

活跃

Current-Collector (Ic) (Max)

20mA

Manufacturer Part Number

NTE313

Manufacturer

NTE Electronics

RoHS

Compliant

Package Description

DISK BUTTON, O-CRDB-F3

Package Style

磁盘按钮

Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

Transition Frequency-Nom (fT)

530 MHz

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

NTE ELECTRONICS INC

Risk Rank

5.76

系列

-

操作温度

150°C (TJ)

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-60 °C

附加功能

低噪音

HTS代码

8541.21.00.75

子类别

其他晶体管

端子位置

RADIAL

终端形式

FLAT

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

O-CRDB-F3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

功率 - 最大

150mW

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

30 V

最大集电极电流

20 mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

20 @ 2mA, 10V

增益

23dB

电压 - 集射极击穿（最大值）

30V

频率转换

530MHz

集电极基极电压(VCBO)

30 V

最大耗散功率(Abs)

0.15 W

发射极基极电压 (VEBO)

4 V

集电极电流-最大值(IC)

0.02 A

最小直流增益（hFE）

25

集电极-发射器电压-最大值

30 V

最高频段

甚高频段

集电极-基极电容-最大值

1 pF

噪音数字(分贝类型@ f)

2.5dB @ 200MHz

宽度

76.2 mm

高度

12.7 mm

长度

152.4 mm