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'nte415'

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产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

工厂交货时间

安装类型

包装/外壳

表面安装

引脚数

晶体管元件材料

厂商

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

操作温度

包装

已出版

系列

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

ECCN 代码

电阻

端子表面处理

电压 - 额定直流

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度（摄氏度）

额定电流

时间@峰值回流温度-最大值(s)

元素配置

操作模式

功率耗散

配件类型

接通延迟时间

场效应管类型

晶体管应用

Rds On(Max)@Id,Vgs

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

上升时间

漏源电压 (Vdss)

Vgs（最大值）

下降时间（典型值）

连续放电电流(ID)

阈值电压

栅极至源极电压(Vgs)

最大漏极电流 (Abs) (ID)

漏源击穿电压

栅源电压

高度

长度

宽度

辐射硬化

达到SVHC

RoHS状态

无铅

NTE415

NTE Electronics, Inc.

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

NTE415

NTE Electronics

Compliant

Bag

活跃

NTE Electronics, Inc

TO-66

-

Insulator Kit

NTE4153NT1G

ON Semiconductor

2620 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

4 Weeks

表面贴装

SC-89, SOT-490

YES

3

SILICON

1

915mA Ta

1.5V 4.5V

300mW Tj

25 ns

1.1V @ 250μA

-55°C~150°C TJ

Tape & Reel (TR)

2006

e3

yes

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

1 (Unlimited)

3

EAR99

230MOhm

Tin (Sn)

20V

DUAL

FLAT

260

915mA

40

Single

增强型MOSFET

300mW

3.7 ns

N-Channel

SWITCHING

230m Ω @ 600mA, 4.5V

110pF @ 16V

1.82nC @ 4.5V

4.4ns

±6V

4.4 ns

915mA

760mV

6V

20V

760 mV

800μm

1.7mm

950μm

无

无SVHC

ROHS3 Compliant

无铅

NTE4151PT1G

ON Semiconductor

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

8 Weeks

表面贴装

SC-89, SOT-490

YES

3

SILICON

760mA Tj

1.8V 4.5V

1

313mW Tj

29 ns

1.2V @ 250μA

-55°C~150°C TJ

Tape & Reel (TR)

2005

e3

yes

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

1 (Unlimited)

3

EAR99

260mOhm

Tin (Sn)

-20V

DUAL

鸥翼

260

-760mA

40

Single

增强型MOSFET

313mW

8 ns

P-Channel

SWITCHING

360m Ω @ 350mA, 4.5V

156pF @ 5V

2.1nC @ 4.5V

8.2ns

20V

±6V

8.2 ns

760mA

6V

0.76A

-20V

800μm

1.6764mm

950μm

无

ROHS3 Compliant

无铅