NTE Electronics, Inc. NTE451

表面安装

NO

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

引脚数

3

供应商器件包装

TO-92

质量

9.071847 g

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

NTE451

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

NTE ELECTRONICS INC

Package Description

CYLINDRICAL, O-PBCY-W3

Risk Rank

2.12

Drain Current-Max (ID)

0.03 A

Number of Elements

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

ROUND

Package Style

CYLINDRICAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature (Max.)

150C

Continuous Drain Current

0.03(A)

Operating Temperature Classification

Military

Package Type

TO-92

Gate-Source Voltage (Max)

25(V)

Rad Hardened

无

Operating Temperature (Min.)

-65C

Mounting

通孔

RoHS

Compliant

Package

Bag

厂商

NTE Electronics, Inc

Product Status

活跃

操作温度

-65°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

HTS代码

8541.21.00.75

最大功率耗散

350 mW

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

O-PBCY-W3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

元素配置

Single

操作模式

DEPLETION MODE

功率耗散

350 mW

功率 - 最大

350 mW

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

AMPLIFIER

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

5pF @ 15V

漏源电压 (Vdss)

25 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

30 mA

JEDEC-95代码

TO-92

栅极至源极电压(Vgs)

-4 V

信道型

N

场效应管技术

JUNCTION

最大耗散功率(Abs)

0.31 W

反馈上限-最大值 (Crss)

1 pF

最高频段

超高频段

漏极电流（Idss） @ Vds (Vgs=0)

4 mA @ 15 V

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)

500 mV @ 10 nA

电压 - 击穿 （V（BR）GSS）

25 V

功率增益-最小值(Gp)

10 dB

最大漏极电流（Id）

30 mA

宽度

4.191 mm

高度

5.334 mm

长度

5.1816 mm

达到SVHC

无SVHC