NTE Electronics, Inc. NTE452
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NTE452
1780-NTE452
集成电路(IC)
TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
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TRANSISTOR, JFET, 30V, 5-15mA, TO-72-3, Breakdown Voltage Vbr:30V, Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min:5mA, Zero Gate Voltage Drain Current Idss Max:15mA, Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max:6V, Transistor Type:JFET, MSL:- RoHS Compliant: Y
1最小包装量--
NTE452详情
NTE Electronics, Inc. NTE452重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
供应商器件包装
TO-72
终端数量
4
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
NTE452
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
NTE ELECTRONICS INC
Package Description
CYLINDRICAL, O-MBCY-W4
Risk Rank
2.11
Number of Elements
1
Package Body Material
METAL
Package Shape
ROUND
Package Style
CYLINDRICAL
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Package
Bag
厂商
NTE Electronics, Inc
Product Status
活跃
操作温度
-65°C ~ 175°C (TJ)
系列
-
HTS代码
8541.21.00.95
端子位置
BOTTOM
终端形式
WIRE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
O-MBCY-W4
资历状况
不合格
配置
SINGLE
操作模式
DEPLETION MODE
功率 - 最大
300 mW
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
AMPLIFIER
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
4pF @ 15V
漏源电压 (Vdss)
30 V
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-72
DS 击穿电压-最小值
30 V
场效应管技术
JUNCTION
最大耗散功率(Abs)
0.3 W
反馈上限-最大值 (Crss)
0.8 pF
最高频段
甚高频段
漏极电流(Idss) @ Vds (Vgs=0)
5 mA @ 15 V
不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)
6 V @ 1 nA
电压 - 击穿 (V(BR)GSS)
30 V
功率增益-最小值(Gp)
10 dB
NTE452拓展信息
NTE Electronics, Inc.
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