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技术文档
型号
NTE5326W
品牌
NTE Electronics, Inc.
utmel 编号
1780-NTE5326W
商品类别
二极管 - 整流器 - 单
封装
4-Square
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 25A, 600V V(RRM), Silicon,
起订量
1最小包装量--
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NTE5326W详情
技术参数
NTE Electronics, Inc. NTE5326W重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
底架
通孔
包装/外壳
安装类型
表面安装
NO
引脚数
4
供应商器件包装
-
二极管元件材料
SILICON
终端数量
Manufacturer Part Number
Manufacturer
NTE Electronics
RoHS
无
Package
Bag
Product Status
活跃
厂商
NTE Electronics, Inc
Package Description
S-XUFM-W4
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
UNSPECIFIED
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
有
Package Shape
SQUARE
Number of Elements
Part Life Cycle Code
Ihs Manufacturer
NTE ELECTRONICS INC
Forward Voltage-Max (VF)
1.2 V
Risk Rank
2.1
系列
操作温度
-55°C ~ 125°C (TJ)
终端
Plated Faston Lugs
最高工作温度
125 °C
最小工作温度
-55 °C
HTS代码
8541.10.00.80
子类别
桥式整流二极管
技术
Standard
端子位置
UPPER
终端形式
WIRE
峰值回流焊温度(摄氏度)
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
资历状况
不合格
电路
Full Wave Diode Bridge
配置
BRIDGE, 4 ELEMENTS
元素配置
Single
二极管类型
单相
反向泄漏电流@ Vr
10 µA @ 600 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.2 V @ 12.5 A
箱体转运
ISOLATED
正向电流
25 A
输出电流-最大值
平均整流电流(Io)
相位的数量
1
峰值反向电流
10 µA
最大重复反向电压(Vrrm)
600 V
Rep Pk反向电压-最大值
最大非代表Pk前进电流
300 A
电压 - 峰值反向(最大值)
击穿电压-最小值
NTE5326W拓展信息
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公司资质
选择时请仔细核对商品参数信息
型号:GI851/MR851
封装:DO-201AD, Axial
品牌:NTE Electronics, Inc
库存:0
型号:GI856/MR856
型号:GI850/MR850
型号:GI852/MR852
型号:NTE6071
封装:DO-203AA, DO-5, Stud
型号:NTE6103
封装:Stud
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