NTE Electronics, Inc NTE6363

安装类型

Stud Mount

包装/外壳

DO-203AA, DO-9, Stud

表面安装

NO

供应商器件包装

DO-9

二极管元件材料

SILICON

终端数量

1

厂商

NTE Electronics, Inc

Package

Bag

Product Status

活跃

Manufacturer Part Number

NTE6363

Manufacturer

NTE Electronics

Package Description

O-MUPM-H1

Package Style

POST/STUD MOUNT

Package Body Material

METAL

Risk Rank

5.71

Forward Voltage-Max (VF)

1.4 V

Ihs Manufacturer

NTE ELECTRONICS INC

Part Life Cycle Code

活跃

Number of Elements

1

Package Shape

ROUND

Rohs Code

有

Operating Temperature-Max

200 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

系列

-

ECCN 代码

EAR99

应用

POWER

HTS代码

8541.10.00.80

子类别

研磨二极管

端子位置

UPPER

终端形式

大电流电缆

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

O-MUPM-H1

资历状况

不合格

配置

SINGLE

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

二极管类型

Standard

反向泄漏电流@ Vr

30 mA @ 1400 V

箱体转运

ANODE

工作温度 - 结点

-40°C ~ 180°C

输出电流-最大值

300 A

电压 - 直流逆向（Vr）（最大值）

1400 V

平均整流电流（Io）

300A

相位的数量

1

Rep Pk反向电压-最大值

1400 V

电容@Vr, F

-

最大非代表Pk前进电流

6850 A