NTE Electronics, Inc NTE912

安装类型

通孔

包装/外壳

14-DIP (0.300", 7.62mm)

底架

通孔

表面安装

NO

引脚数

14

供应商器件包装

14-PDIP

质量

72.574779 g

终端数量

14

晶体管元件材料

SILICON

厂商

NTE Electronics, Inc

Package

Bag

Product Status

活跃

Current-Collector (Ic) (Max)

50mA

Manufacturer Part Number

NTE912

Manufacturer

NTE Electronics

Harmonized Code

ECCN

EAR99

Itar Registered

无

Collector-Emitter Breakdown Voltage

24 V

RoHS

Compliant

Package Description

IN-LINE, R-PDIP-T14

Package Style

IN-LINE

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Transition Frequency-Nom (fT)

550 MHz

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

5

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

NTE ELECTRONICS INC

Risk Rank

2.28

Part Package Code

DIP

系列

-

操作温度

-55°C ~ 125°C (TA)

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

125 °C

最小工作温度

-55 °C

HTS代码

8541.21.00.75

子类别

其他晶体管

最大功率耗散

750 mW

端子位置

DUAL

终端形式

THROUGH-HOLE

Reach合规守则

unknown

引脚数量

14

JESD-30代码

R-PDIP-T14

资历状况

不合格

输出电压

15 V

极性

NPN

配置

COMPLEX

通道数量

5

功率 - 最大

750mW

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

5 NPN

集电极发射器电压(VCEO)

15 V

最大集电极电流

50 mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 1mA, 3V

最大集极截止电流

500nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

230mV @ 1mA, 10mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

24V

转换频率

550 MHz

频率转换

550MHz

集电极基极电压(VCBO)

20 V

发射极基极电压 (VEBO)

5 V

集电极电流-最大值(IC)

0.05 A

最小直流增益（hFE）

40

集电极-发射器电压-最大值

15 V

宽度

76.2 mm

高度

12.7 mm

长度

152.4 mm

达到SVHC

Unknown