GE28F640W18BE80详情
NUMONYX GE28F640W18BE80重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
56
Package Description
0.75 MM PITCH, VFBGA-56
Package Style
GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.8 V
Risk Rank
5.34
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Part Package Code
BGA
Part Life Cycle Code
Obsolete
Package Shape
RECTANGULAR
Package Code
VFBGA
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-40 °C
Operating Temperature-Max
85 °C
Number of Words Code
4000000
Number of Words
4194304 words
Manufacturer Part Number
GE28F640W18BE80
Manufacturer
Numonyx内存解决方案
Ihs Manufacturer
NUMONYX
Access Time-Max
80 ns
ECCN 代码
3A991.B.1.A
类型
NOR型号
附加功能
可进行同步突发模式操作
HTS代码
8542.32.00.51
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
0.75 mm
Reach合规守则
unknown
引脚数量
56
JESD-30代码
R-PBGA-B56
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
1.95 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
1.7 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
组织结构
4MX16
座位高度-最大
1 mm
内存宽度
16
记忆密度
67108864 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
FLASH
编程电压
1.8 V
引导模块
BOTTOM
宽度
7.7 mm
长度
9 mm
GE28F640W18BE80拓展信息








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