Numonyx Memory Solutions NAND04GW3C2BN6E
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NAND04GW3C2BN6E
1781-NAND04GW3C2BN6E
存储器 - 模块
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Flash, 1GX8, 25ns, PDSO48, 12 X 20 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-48
1最小包装量--
NAND04GW3C2BN6E详情
Numonyx Memory Solutions NAND04GW3C2BN6E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
材料
aluminium
终端数量
48
Type of heatsink
extruded
Heatsink shape
U
Colour
aluminium
Material finishing
transparently anodized
Mounting
for back plate
Internal width
13.3mm
Gross weight
700 g
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
NUMONYX
Part Package Code
TSOP
Package Description
12 X 20 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-48
Access Time-Max
25 ns
Number of Words
1073741824 words
Number of Words Code
1000000000
Operating Temperature-Max
85 °C
Operating Temperature-Min
-40 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Code
TSSOP
Package Equivalence Code
TSSOP48,.8,20
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3 V
ECCN 代码
EAR99
类型
MLC NAND TYPE
HTS代码
8542.32.00.51
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
功能数量
1
端子间距
0.5 mm
Reach合规守则
unknown
引脚数量
48
JESD-30代码
R-PDSO-G48
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
3.6 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
2.7 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.03 mA
组织结构
1GX8
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
8
待机电流-最大值
0.00005 A
记忆密度
8589934592 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
FLASH
编程电压
3 V
数据轮询
NO
拨动位
NO
命令用户界面
YES
扇区/尺寸数
2K
行业规模
256K
页面尺寸
2K words
准备就绪/忙碌
YES
第二个连接器加载的位置数
LED
高度
17mm
长度
18.4 mm
宽度
12 mm
NAND04GW3C2BN6E拓展信息
Numonyx Memory Solutions
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