0805CG121K9BB00详情
NXP 0805CG121K9BB00重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
通孔
包装/外壳
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
供应商器件包装
I-Pak
厂商
NXP USA Inc.
Power Dissipation (Max)
93W (Tc)
Product Status
Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
66A (Tc)
Base Product Number
PHU66
Package
Tube
系列
TrenchMOS™
操作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
10.5mOhm @ 25A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
860 pF @ 25 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
12 nC @ 5 V
漏源电压 (Vdss)
25 V
Vgs(最大值)
±20V
场效应管特性
-
0805CG121K9BB00拓展信息








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